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    塑料薄膜介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

    塑料薄膜介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

    簡(jiǎn)要描述:塑料薄膜介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀采用*數(shù)字電路技術(shù),測(cè)試電壓、漏電流均為數(shù)字顯示,可以直觀、準(zhǔn)確、快速、安全的輸出高壓。

    更新時(shí)間:2024-07-15

    產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A

    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

    訪問(wèn)量:1123

    產(chǎn)品詳情
    品牌北廣精儀應(yīng)用領(lǐng)域化工,農(nóng)林牧漁,文體,能源,建材/家具

    塑料薄膜介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

    個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

              DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

             式中:U為測(cè)量電壓                     伏特(V)

    ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

              Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法(pF)

              Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

              Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

              R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

              Cx被測(cè)試品電容值                    皮法(pF)

    2.3 電容量及介損顯示精度:

        電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。

        介  損: ±0.5%tgdx±1×10-4

    2.4 輔橋的技術(shù)特性:

        工作電壓±12V,50Hz

        輸入阻抗>1012 W

        輸出阻抗>0.6 W

        放大倍數(shù)>0.99

        不失真跟蹤電壓  0~12V(有效值)

    2.5 指另裝置的技術(shù)特性:

        工作電壓±12V

        在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格

        二次諧波  減不小于25db

    三次諧波  減不小于50db

    塑料薄膜介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15 Hz?300 MHz的頻率范圍內(nèi)測(cè)量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法,并由此計(jì)算某 些數(shù)值,如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測(cè)量。

    本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量液體、易熔材料以及固體材料。測(cè)試結(jié)果與某些物理?xiàng)l件有關(guān),例如頻率、溫度、 濕度,在特殊情況下也與電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān).

    有時(shí)在超過(guò)1 000 V的電壓下試驗(yàn),則會(huì)引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無(wú)關(guān)的效應(yīng),對(duì)此不予 論述。

    電容器的電極之間及電極周?chē)目臻g全部充以絕緣材料時(shí),其電容Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電 容G之比:

    式中:

    相對(duì)電容率:

    充有絕緣材料時(shí)電容器的電極電容;

    真空中電容器的電極電容。

    在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,不含二氧化碳的干燥空氣的相對(duì)電容率%等于L 000 53o因此,用這種電極構(gòu) 形在空氣中的電容G來(lái)代替G測(cè)量相對(duì)電容率%時(shí),也有足夠的精確度。

    在一個(gè)測(cè)量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對(duì)電容率%與真空電氣常數(shù)気 的乘積。

    在SI制中,絕對(duì)電容率用法/米(F/m)表示°而且.在SI單位中,電氣常數(shù)s為:

    = 8.854 X 10 忐 XR) (2)

    在本標(biāo)準(zhǔn)中,用皮法和厘米來(lái)計(jì)算電容,真空電氣常數(shù)為:

    A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別


    A

    A

    測(cè)試頻率范圍

    25kHz~60MHz

    100kHz

    主調(diào)電容控制

    傳感器

    步進(jìn)馬達(dá)

    電容搜索

    無(wú)

    A/C高頻Q表能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。

    A/C高頻Q表是北廣精儀儀器設(shè)備有限公司最

    新研制的產(chǎn)品,它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號(hào)源,頻率達(dá)

    60MHz /100MHz,信號(hào)源具有信號(hào)失真小、頻率精確、信號(hào)幅度穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn),更保證了測(cè)量精度的精確性。A主電容調(diào)節(jié)用傳感器感應(yīng),電容讀數(shù)精確,且頻率值可設(shè)置。C主電容調(diào)節(jié)用

    步進(jìn)馬達(dá)控制,電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設(shè)置。A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示,在某一頻率下,只要能找到諧振點(diǎn),都能直接讀出電感、電容值,大大擴(kuò)展了電感的測(cè)量范圍,而不再是固定的幾個(gè)頻率下才能測(cè)出電感值的大小。A/C*的諧振點(diǎn)頻率自動(dòng)搜索或電容自動(dòng)搜索功能,能幫助你在使用時(shí)快速地找到被測(cè)量器件的諧振點(diǎn),自動(dòng)讀出Q值和其它參數(shù)。Q值量程可手動(dòng)或自動(dòng)轉(zhuǎn)換。

    頻率

    因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的%和切澎幾乎是恒 定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和 電容率。

    電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,最重要的變化是極性分子引起的偶 極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。

    溫度

    損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)最大值,這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān).介質(zhì)損耗因 數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)最大值位置。

    濕度

    極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù) 和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是的.

    注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1 MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)。

    電場(chǎng)強(qiáng)度

    存在界面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)最大值的大小和位置也隨此 而變。

    在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)。

    在測(cè)定電容率需要較高精度時(shí),最大的誤差來(lái)自試樣尺寸的誤差,尤其是試樣厚度的誤差,因此厚 度應(yīng)足夠大,以滿足測(cè)量所需要的精確度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化。 對(duì)1%的精確度來(lái)講,1. 5 mm的厚度就足夠了,但是對(duì)于更高精確度,最好是采用較厚的試樣,例如 6 mm?12 mm。測(cè)量厚度必須使測(cè)量點(diǎn)有規(guī)則地分布在整個(gè)試樣表面上,且厚度均勻度在± 1 %內(nèi)。 如果材料的密度是已知的,則可用稱(chēng)量法測(cè)定厚度。選取試樣的面積時(shí)應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣 電容。測(cè)量10 pF的電容時(shí),使用有良好屏蔽保護(hù)的儀器。由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約1 pF,因此 試樣應(yīng)薄些,直徑為10 cm或更大些。

    需要測(cè)低損耗因數(shù)值時(shí),很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引入的損耗要盡可能地小,即被測(cè)電容和該 電阻的乘積要盡可能小。同樣,被測(cè)電容對(duì)總電容的比值要盡可能地大。第一點(diǎn)表示導(dǎo)線電阻要盡可 能低及試樣電容要小,第二點(diǎn)表示接有試樣橋臂的總電容要盡可能小,且試樣電容要大,因此試樣電 容最好取值為20 pF,在測(cè)量回路中,與試樣并聯(lián)的電容不應(yīng)大于約5 pF0

    把試樣夾在兩塊互相配合好的凹模之間,凹模中充有液體金屬,該液體金屬必須是純凈的。汞電極 不能用于高溫,即使在室溫下用時(shí),也應(yīng)采取措施,這是因?yàn)樗恼魵馐怯卸镜?

    伍德合金和其他低熔點(diǎn)合金能代替汞。但是這些合金通常含有鎘,鎘象汞一樣,也是毒性元素.這些 合金只有在良好抽風(fēng)的房間或在抽風(fēng)柜中才能用于10。笆以上,且操作人員應(yīng)知道可能產(chǎn)生的健康危害。

     如果你對(duì)GDAT-A塑料薄膜介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀感興趣,想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息,填寫(xiě)下表直接與廠家聯(lián)系:

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