介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀低頻列介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20Hz～5MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測(cè)試。介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀低頻

設(shè)備中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。

1 特點(diǎn)：                            
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。

◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1～10⁵

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 ε和D性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測(cè)試。

2.1.2 ε和D測(cè)量范圍：ε：1～10⁵，D：0.1～0.00005，

2.1.3 ε和D測(cè)量精度（10kHz）：ε：±2% ，  D：±5%±0.0001。

2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋

2.3 電常數(shù)測(cè)試裝置（含保護(hù)電極）

2.3.1 平板電容器極片尺寸：Φ5mm、Φ38mm和Φ50mm三種可選.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.001mm
2.3.3插頭間距：與電橋四端配合

2.3.4加溫控溫裝置(選購(gòu)設(shè)備)可以完成200℃控溫精度l℃加熱測(cè)試。

2.4 介質(zhì)材料測(cè)試裝置提供四種不同直徑測(cè)試電極，

能對(duì)直徑φ10～56mm，厚度<10mm的試樣測(cè)量。它針對(duì)不同試樣

可設(shè)置為接觸電極法，薄膜電極法和

非接觸法三種，以適應(yīng)軟材料，表面不平整和薄膜試樣測(cè)試。

2.4.1 微分頭分辨率：10μm

2.4.2 耐壓：±42Vp（AC+DC）

2.4.3 電纜長(zhǎng)度設(shè)置：1m

2.4.4 使用頻率：30MHz 

2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：
  在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。

用戶可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

2.6介電常數(shù)測(cè)試儀配置