ITO膜硅片四探針電阻率測試儀

ITO膜硅片四探針電阻率測試儀方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量

準(zhǔn)確度尚未評估。

使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外

探件，測量兩內(nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有

關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動(dòng)測量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動(dòng)測量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

概述：采用四端測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，實(shí)驗(yàn)室；是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具。可配置不同測量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補(bǔ)償功能，自動(dòng)量程，自動(dòng)測量電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出；選配：PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器，薄膜按鍵操作簡單，中文或英文兩種語言界面選擇，電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表，量程為1mVˉ100mV,

分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的

圓截面。

探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之

間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應(yīng)以

等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中

的規(guī)定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)

計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F，見式(4)。

對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不

小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表，能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻，溫度針

0℃-40℃，小刻度為0.1℃。

光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會(huì)影

響測試結(jié)果，

甲醇、99.5%，干燥氮?dú)狻y量儀器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會(huì)引入測試誤差，硅片幾何形狀，表

面粘污等會(huì)影響測試結(jié)果，

R(TD-R_xF式中:

計(jì)算每一測量位置的平均電阻R.，見式(3).

試劑優(yōu)級純，純水，25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,

s=號(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

計(jì)算每一測量位置在所測溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計(jì)算出對應(yīng)的電阻率并修正到23℃，具體見表4)

見式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置

的時(shí)間應(yīng)足夠長，到達(dá)熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向?yàn)檎颍{(diào)節(jié)電流大小見表1測量范圍

    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm

    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□

    電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由選配測試臺(tái)決定和測試方式?jīng)Q定)直    徑：A圓測試臺(tái)直接測試方式 Φ15～130mm，   方測試臺(tái)直接測試方式180mm×180mm，    長(高)度：測試臺(tái)直接測試方式 H≤100mm,        測量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

3.4  數(shù)控恒流源

   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A

   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

所給出的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)，所有測試數(shù)據(jù)

至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。

關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對仲裁測量，探針間距為1.59

ITO膜硅片四探針電阻率測試儀本儀器本儀器采用四探針雙電測量方法，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測量并根據(jù)測試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，壓強(qiáng) 配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項(xiàng)目要求選購.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。

標(biāo)準(zhǔn)要求：

該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。