塑料薄膜金屬鍍層電導(dǎo)率電阻率測試儀用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距塑料薄膜金屬鍍層電導(dǎo)率電阻率測試儀計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4)。

對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不

小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表，能指示阻值高達10°日的漏電阻，溫度針

0℃-40℃，小刻度為0.1℃。

光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影

響測試結(jié)果，

甲醇、99.5%，干燥氮氣。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差，硅片幾何形狀，表

面粘污等會影響測試結(jié)果，

R(TD-R_xF式中:

計算每一測量位置的平均電阻R.，見式(3).

試劑優(yōu)級純，純水，25℃時電阻率大于2MN.cm,

s=號(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計算出對應(yīng)的電阻率并修正到23℃，具體見表4)

見式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置

的時間應(yīng)足夠長，到達熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向為正向，調(diào)節(jié)電流大小見表1

所給出的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)，所有測試數(shù)據(jù)

至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。

操作步驟及流程

3.1.本機可以依據(jù)不同測試產(chǎn)品選擇配置不同的測試治具，以下舉例操作說明

3.1.1.在開機界面按下按鍵板上的“顯示"鍵，進入測量界面。如圖1

3.1.2 如圖2，在液晶顯示屏右側(cè)有4個藍色功能按鍵，當(dāng)測材料電阻率時，請選擇 “材料"按鍵 ，進入材料測試主界面.  

3.1.3.在該界面下通過按下按鍵板上的上下左右鍵，可以移動藍色光標選擇相應(yīng)的參數(shù)。如圖2，將移動到某一參數(shù)的位置，按下“設(shè)置"鍵，光標將變?yōu)樯钏{色。此時通過上下左右鍵和數(shù)字鍵可以對相應(yīng)的參數(shù)進行設(shè)置，設(shè)置完畢后按“確定"鍵返回。